高精度纖芯對(duì)準(zhǔn)光纖熔接機(jī)

TYPE-82C+
內(nèi)置NanoTune?納米調(diào)芯技術(shù)

全球首創(chuàng)100%成功熔接技術(shù)

高速作業(yè) 熔接5秒/加熱8秒

創(chuàng)下平均熔接損耗0.01dB的業(yè)界最佳紀(jì)錄

G.654.E光纖最全面、低損耗熔接條件

住友電氣工業(yè)株式會(huì)社（總部：大阪市中央?yún)^(qū)、社長(zhǎng)：井上治、以下簡(jiǎn)稱為本公司）率先研發(fā)了基于AI技術(shù)*1大幅提高熔接精度和效率的NanoTune?納米調(diào)芯技術(shù)，并將其內(nèi)置于高精度纖芯對(duì)準(zhǔn)光纖熔接機(jī)TYPE-82C+中。

TYPE-82C+作為高精度纖芯對(duì)準(zhǔn)光纖熔接機(jī)TYPE-82C的后續(xù)機(jī)型，繼承了輕巧便攜、快速熔接、高水準(zhǔn)的耐環(huán)境性能，新內(nèi)置了創(chuàng)新AI技術(shù)NanoTune?、以及適用于超低損大有效面積光纖（ITU-T G.654.E）的熔接條件，同時(shí)將加熱補(bǔ)強(qiáng)速度和接續(xù)次數(shù)提升到極高水準(zhǔn)。

TYPE-82C+ 主要有以下的優(yōu)勢(shì)：

1.內(nèi)置AI技術(shù)NanoTune? 避免熔接失敗

通過(guò)率先獨(dú)創(chuàng)的AI技術(shù)，實(shí)現(xiàn)熔接條件的更精細(xì)微調(diào)。從而使熔接作業(yè)不受惡劣環(huán)境或技術(shù)影響，時(shí)刻保持高品質(zhì)。有效避免由于光纖切割等前期處理造成的重復(fù)熔接作業(yè)。

2.內(nèi)置適用于超低損大有效面積G.654.E光纖的熔接條件

近年來(lái)，由于數(shù)據(jù)流量的快速增長(zhǎng)，中國(guó)的幾大通信運(yùn)營(yíng)商均已正在著手建設(shè)新的干線通信網(wǎng)絡(luò)。其中，除了常規(guī)的通用光纖（ITU-T G.652.D），還開(kāi)始采用一種新型光纖（ITU-T G.654.E），它尤其適合于5G長(zhǎng)距離光傳輸系統(tǒng)，并且具有低損耗、大容量的特點(diǎn)。

為了滿足客戶對(duì)于充分利用超低損大有效面積光纖的特性、將熔接損耗降低到最佳水平的需求，我們基于多年來(lái)積累的超低損光纖研發(fā)和制造知識(shí)，充分發(fā)揮40多年來(lái)積累的行業(yè)領(lǐng)先的熔接技術(shù)，研發(fā)成功業(yè)界領(lǐng)先的適用于G.654.E光纖的熔接條件，并內(nèi)置于即將上市的全新TYPE-82C+中。在相同條件下，使G.654.E光纖的特性發(fā)揮到至極。同時(shí)也大大降低了熔接損耗。

3.高水準(zhǔn)的加熱補(bǔ)強(qiáng)速度和接續(xù)次數(shù)

在保持現(xiàn)有的輕巧、便攜、耐沖擊、防塵、防滴的機(jī)身設(shè)計(jì)的同時(shí)，研發(fā)出采用新的耐熱材質(zhì)將加熱補(bǔ)強(qiáng)效率提升到世界最高的新型加熱器，再次創(chuàng)下8秒這一極快的加熱補(bǔ)強(qiáng)時(shí)間。并且將功耗消耗效率提升7%，實(shí)現(xiàn)1次充電可連續(xù)進(jìn)行320次熔接。

隨著遠(yuǎn)程辦公的常態(tài)化、遠(yuǎn)程醫(yī)療、在線教育等應(yīng)用的廣泛普及，今后對(duì)5G等高速、大容量、低延遲的通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的需求愈發(fā)迫切。

住友電工集團(tuán)將持續(xù)不斷地開(kāi)發(fā)滿足客戶需求的產(chǎn)品，提供給客戶更易于操作、更可靠、功能性和擴(kuò)展性更高的產(chǎn)品，為中國(guó)和世界光通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)做出更大貢獻(xiàn)。

T-82C＋的主要產(chǎn)品規(guī)格：